ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВОЙ МОДЕЛИ ДИОДА

С.П. ЛОХОВ; А.Е.  ТУРАЕВ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВОЙ МОДЕЛИ ДИОДА

Авторы

С.П. ЛОХОВ
А.Е. ТУРАЕВ

Аннотация

Сравниваются переходные характеристики реального полупроводникового диода и результаты моделирования на ЭВМ p-n-перехода как управляемого сопротивления со смещениями, что приближает исследуемые процессы к полевому триоду.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Библиографические ссылки

Лохов С.П. Компьютерная модель р-п-перехода и методы расчета / С.П. Лохов // Вестник ЮУрГУ. Серия «Энергетика». - 2003. Вып. 3. - № 11 (27). - С. 50-52.

Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем / И.П. Степаненко. - М.: Энергия, 1967. - 616 с.

Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин, А.Д. Шинков. - М., Высшая школа, 1973. - 398 с.

Загрузки

Опубликован

02/15/2023

Как цитировать

[1]

ЛОХОВ, С. и ТУРАЕВ, А. 2023. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВОЙ МОДЕЛИ ДИОДА. Вестник Южно-Уральского государственного Университета. Серия: «Энергетика». 84, 12 (фев. 2023), 29–31.